1、IGBT的概念（niàn）

IGBT，绝缘栅双（shuāng）极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管（guǎn）和绝缘（yuán）栅型场（chǎng）效（xiào）应管（guǎn）(MOS)组（zǔ）成的（de）复合（hé）全（quán）控半导体器（qì）件, 兼（jiān）有(MOSFET)金氧半场效（xiào）晶体管的高输（shū）入阻抗和（hé）电力晶（jīng）体管(GTR)的（de）低导通压降两方面的优（yōu）点。
2、IGBT的结（jié）构

下（xià）图（tú）为一个N沟道增强型绝缘（yuán）栅双（shuāng）极（jí）晶体管结（jié）构， N+区称（chēng）为源区，附（fù）于（yú）其上的电极称为（wéi）源极(即（jí）发射极E)。N基极称为漏区。器件（jiàn）的控制区为栅区，附于其（qí）上的电（diàn）极称为栅极（jí）(即（jí）门极G)。沟道在紧靠栅（shān）区边界（jiè）形成。在（zài）C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区（qū）)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区(Subchannel region)。而在（zài）漏（lòu）区另（lìng）一（yī）侧的P+区称为漏注入区（qū）(Drain injector)，它是IGBT特有的（de）功能（néng）区，与（yǔ）漏（lòu）区和亚沟道区一起形（xíng）成PNP双极（jí）晶体管，起发射极的（de）作用，向漏（lòu）极注入空穴，进行导（dǎo）电调制，以（yǐ）降低器（qì）件的通态电（diàn）压（yā）。附于漏注入区（qū）上的电极称为漏极(即集电（diàn）极（jí）C)。

3、IGBT工作原（yuán）理

IGBT有N沟（gōu）道型和P沟（gōu）道型两种，主（zhǔ）流的（de）N沟道IGBT的电（diàn）路图符号及（jí）其等效电（diàn）路如下：

所以整个过程就很简（jiǎn）单：

当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导通，电流从CE流过。

当（dāng）栅极G为低电平时（shí），NMOS截（jié）止，所（suǒ）以PNP的CE截止，没有电流流过。

4、IGBT的优（yōu）点

IGBT晶体管具有更高的电压和电流（liú）处理能力；极高的输入阻抗；可以使用非常低的电压切换非常高的（de）电流（liú）；电压（yā）控制装置，即它没有输入电（diàn）流和（hé）低输入（rù）损耗；具（jù）有非（fēi）常低的导通电阻；具有高电流（liú）密度，使（shǐ）其能够具有更小的芯片尺（chǐ）寸；可以使用（yòng）低控制电压切换高电（diàn）流（liú）电平。